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镀膜基片

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高温超导薄膜基片
晶体 结构 熔点(℃) 密度(g/cm3) 莫氏硬度 膨胀系数(X10-6/K) 介电常数 生长方法 最大尺寸 标准外延抛光片(单,双抛)

铝酸镧
LaAlO3

斜六面体(about cubic 立方)
a=3.821埃

2100 6.52 6.5 9.2 24.5 提拉法 ¢3" ¢3"X0.5mm
¢2"X0.5mm
10mmX10mmX0.5mm
LSAT 立方
a=3.868埃
1840 6.74 6.5 10 22 提拉法 ¢2" ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
钛酸锶
SrTiO3
立方
a=3.90埃
2050 5.175 6 10.4 300 焰熔法 ¢30mm 10X10X0.5mm
10X5X0.5mm
氧化镁
MgO
立方
a=4.216埃
2852 3.58 5.5-6 12.8 9.8 弧熔法 50X50X20 ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
氧化锆
YSZ
立方
c=5.125埃
2500 5.8 7 10.3 27 助溶剂法 ¢2" ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
镓酸钕
NdGaO3
正交
a=5.43埃
b=5.5埃
c=7.71埃
1600 7.57 6 7.8 25 提拉法 ¢2" ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
铝酸锶镧 四方
a=3.756埃
c=12.63埃
1650 5.92 6 <100>10.05
<001>18.9
16.8 提拉法 ¢20mm 10X10X0.5mm
铝酸钇 正交
a=5.3286埃
b=7.3706埃
c=5.1796埃
1870 5.37 8.5 4.2 //a
11.7 //b
5.1//c
/ 提拉法 ¢2" 10X10X0.5mm
磁性与铁电薄膜基片
晶体 结构 熔点(℃) 密度(g/cm3) 莫氏硬度 膨胀系数(X10-6/K) 介电常数 生长方法 最大尺寸 标准外延抛光片(单,双抛)

铝酸镧
LaAlO3

斜六面体(about cubic 立方)
a=3.821埃

2100 6.52 6.5 9.2 24.5 提拉法 ¢3" ¢3"X0.5mm
¢2"X0.5mm
¢1"X0.5mm
10mmX10mmX0.5mm
LSAT 立方
a=3.868埃
1840 6.74 6.5 10 22 提拉法 ¢2" ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
钛酸锶
SrTiO3
立方
a=3.90埃
2050 5.175 6 10.4 300 焰熔法 ¢30mm 10X10X0.5mm
10X5X0.5mm
掺铌钛酸锶
Nb:SrTiO3
立方
a=3.90埃
2050 5.175 6 / / 焰熔法 ¢25mm 10X10X0.5mm
10X5X0.5mm
白宝石
Al2O3
六方
a=4.758埃
c=12.99埃
2040 3.97 9 7.50 / 泡生法
提拉法
¢180mm ¢2"X0.33mm
¢100X0.33mm
10X10X0.5mm
铝酸镁
MgAl2O4
立方
a=8.083埃
2130 3.6 7.5-8 7.45 / 提拉法 ¢2" ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
GGG 立方
a=12.37埃
1860 7.05 6-7 / / 提拉法 ¢2" ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
TiO2 四方
a=4.593埃
c=2.958埃
1840 4.26 7 / / 浮区法 ¢23-25 10X10X0.5mm
10X5X0.5mm
GaN 外延薄膜基片
晶体 结构 熔点(℃) 密度(g/cm3) 莫氏硬度 膨胀系数(X10-6/K) 对GaN晶格失配率 生长方法 最大尺寸 标准外延抛光片(单,双抛)
白宝石
Al2O3
六方
a=4.758埃
c=12.99埃
2040 3.97 9 7.50 / 泡生法
提拉法
¢180mm ¢2"X0.33mm
¢100X0.33mm
10X10X0.5mm
氧化镁
MgO
立方
a=4.216埃
2852 3.58 5.5-6 12.8 3%at<111> ori 弧熔法 50X50mm ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
LSAT 立方
a=3.868埃
1840 6.74 6.5 10 1%at<111> ori 提拉法 ¢2" ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
铝酸锂
LiAlO2
四方
a=5.17埃
c=6.26埃
1900 2.62 7.5 / 1.4%at<100> ori 提拉法 ¢2" ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
铝酸镁
MgAl2O4
立方
a=8.083埃
2130 3.6 7.5-8 7.45 9%at<111> ori 提拉法 ¢2" ¢2"X0.5mm
10X10X0.5mm
碳化硅
SiC
六方
a=3.080埃
c=15.12埃
2700 3.217 9.2 10.3 3%at<0001> ori CVD ¢2" 10X10X0.3mm
氧化锌
ZnO
六方
a=3.325埃
c=5.213埃
1975 5.605 4.5 2.90 2.2%at<0001> ori 水热法 ¢25.4mm 20X20X0.5mm
镓酸锂
LiGaO2
正方
a=5.406埃
a=5.012埃
c=6.379埃
1600 4.18 8 / 0.2%at<001> ori 提拉法 ¢20mm 10X10X0.5mm
单一元素半导体基片
晶体 结构 熔点(℃) 密度(g/cm3) 导电类型 掺杂 电阻率
Ω.cm
生长方法 最大尺寸 标准外延抛光片(单,双抛)
硅 Si 立方
a=5.0430
1415 2.33 本征 非掺 102-104 CZ ¢8" ¢2"X0.5
¢3"X0.5
¢4"X0.5
N P 0.001-40
P B 0.001-40
锗 Ge 立方
a=5.6575
937.4 5.765 本征 非掺 >35 CZ ¢4" ¢2"X0.5
¢3"X0.5
¢4"X0.5
N Sb 0.05-35
P Ga 0.05-35
III-V半导体材料
晶体 结构 熔点(℃) 密度(g/cm3) 掺杂 导电类型 载流子浓度
CM -3
位错密度
CM-2
生长方法 最大尺寸 标准外延抛光片(单,双抛)
磷化镓
GaP
立方 1480 4.13 umdoped N 2-8X1017 <105
LEC ¢50 ¢2"X0.5
S N 2-6X1016
砷化镓
GaAs
立方
a=5.653
1238 5.13 None Si / <5X105 LEC or HB ¢3" ¢2"X0.5
¢3"X0.5
Si N >5X1017
Cr Si /
Te N -2X1018
Zn P >5X1018
磷化铟
InP
立方
a=5.243
1062 6.719 None N 1-2X1016 <5X104 LEC ¢2" ¢2"X0.5
Sn N 1-3X1018
S N 1-4X1018
Fe Si /
Zn P 6-4X1018
II-V族半导体
晶体 结构 熔点
(℃)
密度
(g/cm3)
热容
(J/g.k)
热膨胀
系数
(10-6/K)
热导率
(W/m.k
at 300K)
透过波
长(U)
折射率

生长方法
最大尺寸(mm)

应用
CdS 六方 P63mc
a=4.1367
c=6.7161
1287 4.221 0.3814 4.6//a
2.5//c
2.7 0.52-14.8 1.708(o)
1.732(e)
PVD
25X25X15
X射线检测
连接器件,外延基片,蒸发源的晶体片
CdTe 立方
F43m
a=6.483
1047 5.851 0.210 5.0 6.3 0.85-29.9 2.72 PVD
25X10X10
X射线检测,红外光学,外延基片,蒸发源的晶振片
ZnSe 立方
F43m
a=5.6685
1517 5.664 0.339 7.1 13 0.51-19.0 2.5 PVD CO2激光器的红外光学,透镜,窗口,分束器,外延基片,蒸发源的晶体片
ZnO 六方 P63mc a=3.325 c=5.213 1975 5.605 0.125 6.5//a
3.7//c
30 0.4-0.6 1.922(o) 1.936(e) 水热法 20X20X10 GaN(蓝色LED)外延片,宽波段连接器件

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